| 发明名称 |
包括具有用于产生拉伸及压缩应变之嵌入ＳＩ／ＧＥ材料之ＮＭＯＳ及ＰＭＯＳ电晶体之半导体装置 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI431760 |
申请公布日期 |
2014.03.21 |
| 申请号 |
TW096140541 |
申请日期 |
2007.10.29 |
| 申请人 |
高级微装置公司 美国 |
发明人 |
拜耳 史芬;郝斯特门 马弗雷;派丝 派克;布奇禾兹 沃夫根 |
| 分类号 |
H01L27/092;H01L21/8238 |
主分类号 |
H01L27/092 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
