| 摘要 |
Eine Schicht, die Titan und Nickel enthält, ist auf einem SiC-Substrat (1) ausgebildet. Eine Nickelsilizidschicht (4), die Titancarbid enthält, wird durch Erhitzen gebildet. Eine abgelagerte Kohlenstoffschicht (5) wird durch Rücksputtern entfernt. Dadurch wird eine Trennung einer Elektrode (8) einer Metallschicht, die auf Nickelsilizid gebildet wird in einem nachfolgenden Schritt, unterdrückt. Der Effekt eines Verhinderns der Trennung kann weiter verbessert werden, wenn die Beziehung zwischen der Menge von abgelagertem Kohlenstoff und der Menge von Kohlenstoff in Titancarbid in der Oberfläche von Nickelsilizid, aus der die Kohlenstoffschicht (5) noch nicht entfernt wurde, eine vorgegebene Bedingung erfüllt. |
