| 摘要 |
1. Ферромагнитный полупроводниковый материал, представляющий собой ферромагнитную пленку полупроводникового диоксида титана, легированного ванадием в количестве от 3 до 5 ат.% по отношению к титану, имеющую кристаллическую структуру анатаза, выращенную на диэлектрической подложке, имплантированную ионами кобальта в количестве от 0,1 до 5 ат.% для формирования высокой остаточной намагниченности не менее 70% от намагниченности насыщения.2. Ферромагнитный полупроводниковый материал по п.1, характеризующийся тем, что в качестве диэлектрической подложки использован алюминат лантана.3. Способ получения ферромагнитного полупроводникового материала, включающий выращивание на диэлектрической подложке пленки диоксида титана, легированной ванадием в количестве от 3 до 5 ат.% по отношению к титану, имеющей кристаллическую структуру анатаза, и имплантацию в полученную пленку при комнатной температуре атомов кобальта с дозой (1,3-1,6)·10см. |
