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Eine Atomlagenabscheidungsmethode zur Bildung eines Metallfilms auf einem Trägermaterial umfasst einen Abscheidungszyklus, enthaltend: a) In-Kontakt-bringen eines Trägermaterials mit einem Dampf einer Metall-enthaltenden Verbindung, beschrieben durch die Formel 1, für eine erste prädeterminierte Puls-Zeit, um eine erste modifizierte Oberfläche zu bilden: MLn (1), worin: n ist 1 bis 8; M ist ein Übergangsmetall; L ist ein Ligand und; b) In-Kontakt-bringen der ersten modifizierten Oberfläche mit einer Säure für eine zweite prädeterminierte Puls-Zeit, um eine zweite modifizierte Oberfläche zu bilden; und c) In-Kontakt-bringen der zweiten modifizierten Oberfläche mit einem Reduktionsmittel für eine dritte prädeterminierte Puls-Zeit, um eine Metallschicht zu bilden. |
