发明名称 铝互连线结构和形成铝互连线结构的方法
摘要 一种铝互连线结构和形成铝互连线结构的方法,该方法包括:提供衬底;在衬底上依次形成下层阻挡层、铝层和上层阻挡层;过刻蚀上层阻挡层,暴露出部分铝层;在所述暴露出的铝层侧壁形成钝化层;继续刻蚀所述铝层并刻蚀所述下层阻挡层,形成铝互连线结构。形成的铝互连线的线宽与下层阻挡层和上层阻挡层的线宽基本相同,在进行氧化硅介质层的填充时,在氧化硅介质层和铝互连线侧壁之间不形成空洞和缝隙,从而不会影响产品性能。
申请公布号 CN102082115B 申请公布日期 2014.03.19
申请号 CN200910246101.6 申请日期 2009.12.01
申请人 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 发明人 薛浩;任小兵;蒋昆坤;王吉伟;任华
分类号 H01L21/768(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 李丽
主权项 一种形成铝互连线结构的方法,其特征在于,包括:提供衬底;在所述衬底上依次形成下层阻挡层、铝层和上层阻挡层;过刻蚀所述上层阻挡层,暴露出部分铝层;在所述暴露出的铝层侧壁形成钝化层;继续刻蚀所述铝层并刻蚀下层阻挡层,形成铝互连线结构,所述形成的钝化层的侧壁同时可以起到导向的作用,使刻蚀笔直的向下进行,从而使铝互连线的线宽和下层阻挡层的线宽、上层阻挡层的线宽相同。
地址 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号
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