一种制作具有应力层的互补金属氧化物半导体器件的方法

摘要

本发明提出了一种制作具有应力层的CMOS器件的方法，在张应力层表面形成牺牲层，以图案化的牺牲层为掩膜进行半导体器件的离子注入以及刻蚀等工艺。根据本发明制作的CMOS器件，能够减少使用掩模板的数量，减少刻蚀步骤，降低半导体器件的生产成本，缩短半导体器件的生产周期，提高半导体器件的整体性能，提高良品率。

主权项

一种制作具有应力层的互补金属氧化物半导体器件的方法，依次包括：a：提供前端器件，所述前端器件具有第一器件和与所述第一器件极性类型相反的第二器件，所述第一器件具有第一栅极材料层以及形成于第一栅极材料层之上的第一硬掩膜层，所述第二器件具有第二栅极材料层；b：在所述第一器件表面形成第一遮蔽层；c：以所述第一遮蔽层为掩膜进行离子注入，形成所述第二器件的源/漏极；d：以所述第一遮蔽层为掩膜，对所述第二栅极材料层和所述第二器件的所述源/漏极进行硅化工艺，以形成第一硅化区；e：去除第一遮蔽层；f：在步骤e所形成的结构的上表面沉积张应力层；g：在所述张应力层的表面沉积牺牲层；h：在所述牺牲层的位于所述第二器件之上的表面形成第二遮蔽层，且暴露出所述牺牲层的位于所述第一器件之上的表面;i:去除所述牺牲层的位于所述第一器件之上的部分和所述张应力层的位于所述第一器件之上的部分;j：去除所述第二遮蔽层;k：以所述第一硬掩膜层和剩余的所述牺牲层中位于所述第二器件之上的部分为掩膜，进行离子注入，以形成所述第一器件的源/漏极；l：去除所述第一硬掩膜层，然后以剩余的所述牺牲层为掩膜，对所述第一栅极材料层以及所述第一器件的源/漏极进行硅化，以形成第二硅化区；m：在步骤l形成的结构的上表面沉积压应力层；n：在所述压应力层的位于所述第一器件之上的表面形成第三遮蔽层，且露出所述压应力层的位于所述第二器件之上的表面；o：以所述第三遮蔽层为掩膜，去除所述压应力层的位于所述第二器件之上的部分以及剩余的所述牺牲层；以及p：去除所述第三遮蔽层。