发明名称 | 评估晶片缺陷的方法 | ||
摘要 | 根据本发明的一个实施方式,一种评估晶片缺陷的方法包括以下步骤:制备晶片样品、在晶片样品上形成氧化层、使用表面光电压来测量少数载流子的扩散距离和确定污染的程度。 | ||
申请公布号 | CN103650125A | 申请公布日期 | 2014.03.19 |
申请号 | CN201280033980.4 | 申请日期 | 2012.07.03 |
申请人 | LG矽得荣株式会社 | 发明人 | 咸昊璨 |
分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人 | 张颖玲;徐川 |
主权项 | 一种评估晶片中的缺陷的方法,所述方法包括:制备晶片样品;在所述晶片样品上形成氧化层;使用表面光电压来测量少数载流子的扩散距离;和确定污染程度的结果。 | ||
地址 | 韩国庆尚北道 |