| 发明名称 | 二氧化碳还原装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种二氧化碳还原装置，包括：阴极池、阳极池、隔膜、阴极电极及阳极电极，所述隔膜设置于所述阴极池及阳极池之间；所述阳极电极一侧包括将重量分数比为25%～45%的AlxGa1-xN（0.1≤x≤0.25）及InP形成的复合半导体，另一侧为将重量分数比为60%～95%的GaN与InP复合半导体材料制成的复合半导体，上述两个侧面的厚度比为1～1.5：1；所述阴极池内部装有与阴极电极接触的第一电解液，所述阳极池内部装有与阳极电极接触的第二电解液，所述第一电解液中溶解有二氧化碳；所述阴极电极与所述阳极电极电连接，所所述第一电解液中的二氧化碳在阴极电极上进行还原反应。 | ||
| 申请公布号 | CN103647086A | 申请公布日期 | 2014.03.19 |
| 申请号 | CN201310549030.3 | 申请日期 | 2014.01.10 |
| 申请人 | 东莞市广海大橡塑科技有限公司 | 发明人 | 童华东 |
| 分类号 | H01M4/88(2006.01)I;H01M8/22(2006.01)I | 主分类号 | H01M4/88(2006.01)I |
| 代理机构 | 东莞市中正知识产权事务所 44231 | 代理人 | 刘林 |
| 主权项 | 一种二氧化碳还原装置，阴极池、阳极池、隔膜、阴极电极及阳极电极，所述隔膜设置于所述阴极池及阳极池之间；其特征在于：所述阳极电极一侧包括将重量分数比为25%～45%的AlxGa1‑xN（0.1≤x≤0.25）及InP形成的复合半导体，另一侧为将重量分数比为60%～95%的GaN与InP复合半导体材料制成的复合半导体，上述两个侧面的厚度比为1～1.5：1；所述阴极池内部装有与阴极电极接触的第一电解液，所述阳极池内部装有与阳极电极接触的第二电解液，所述第一电解液中溶解有二氧化碳；所述阴极电极与所述阳极电极电连接，所述阳极电极上照射有波长在310～315nmnm的光，所述第一电解液中的二氧化碳在阴极电极上进行还原反应。 | ||
| 地址 | 523000 广东省东莞市樟木头镇百果洞村百达工业街盘龙路8号 | ||