发明名称 基于结构共振测量气体悬浮颗粒浓度的MEMS传感器
摘要 本实用新型公开了一种基于结构共振测量气体悬浮颗粒浓度的MEMS传感器,包括一腔体,该腔体内形成有中空腔室,还包括过滤结构、气压产生结构、气体采样结构以及振动结构;所述过滤结构、气压产生结构相对设置在腔室的两端并与其相通,所述气体采样结构、振动结构相对设置在腔室的内部。本实用新型通过检测由附着在振动结构上的悬浮颗粒导致的振动频率或幅度的变化来监测气体悬浮颗粒浓度。与传统的颗粒传感器相比,本实用新型主体采用MEMS微加工技术制造,具有成本低,体积小,功耗低等优势,非常适合在消费电子,便携设备上的应用。
申请公布号 CN203490153U 申请公布日期 2014.03.19
申请号 CN201320475602.3 申请日期 2013.08.05
申请人 深迪半导体(上海)有限公司 发明人 邹波;郭梅寒
分类号 G01N15/06(2006.01)I 主分类号 G01N15/06(2006.01)I
代理机构 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 代理人 齐永红
主权项 基于结构共振测量气体悬浮颗粒浓度的MEMS传感器,包括一腔体,该腔体内形成有中空腔室,其特征在于:还包括过滤结构、气压产生结构、气体采样结构以及振动结构;所述过滤结构、气压产生结构相对设置在腔室的两端并与其相通,所述气体采样结构、振动结构相对设置在腔室的内部。
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路1690号2号楼302