发明名称 一种晶圆级基板微通孔电镀方法
摘要 本发明公开了一种晶圆级基板微通孔电镀方法,包括:化学清洗并高温酸洗带微通孔的基板;其中基板上带有通孔,高温酸洗后过PI和无水乙醇;晶圆级基板一面蒸镀金属引导层;金属引导层表面粘贴绝缘层;外电源阳极与金属引导层相连接后,将所述基板放入硫酸铜溶液,直到基板背面通孔顶部冒出为止;去掉绝缘层,并将去掉绝缘层的面与陶瓷盘固定,减薄机抛光突出部分;去除陶瓷盘,完成微通孔电镀。
申请公布号 CN103646923A 申请公布日期 2014.03.19
申请号 CN201310706420.7 申请日期 2013.12.19
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 王莉;谢海忠;刘志强;伊晓燕;郭恩卿;王军喜;李晋闽
分类号 H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 宋焰琴
主权项 一种晶圆级基板微通孔电镀方法,包括一下步骤:步骤1:化学清洗并高温酸洗带微通孔的基板;其中基板上带有通孔,高温酸洗后过PI和无水乙醇;步骤2:晶圆级基板一面蒸镀金属引导层;步骤3:金属引导层表面粘贴绝缘层;步骤3:外电源阳极与金属引导层相连接后,将所述基板放入硫酸铜溶液,直到基板背面通孔顶部冒出为止;步骤4:去掉绝缘层,并将去掉绝缘层的面与陶瓷盘固定,减薄机抛光突出部分;步骤5:去除陶瓷盘,完成微通孔电镀。
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