发明名称 |
一种晶圆级基板微通孔电镀方法 |
摘要 |
本发明公开了一种晶圆级基板微通孔电镀方法,包括:化学清洗并高温酸洗带微通孔的基板;其中基板上带有通孔,高温酸洗后过PI和无水乙醇;晶圆级基板一面蒸镀金属引导层;金属引导层表面粘贴绝缘层;外电源阳极与金属引导层相连接后,将所述基板放入硫酸铜溶液,直到基板背面通孔顶部冒出为止;去掉绝缘层,并将去掉绝缘层的面与陶瓷盘固定,减薄机抛光突出部分;去除陶瓷盘,完成微通孔电镀。 |
申请公布号 |
CN103646923A |
申请公布日期 |
2014.03.19 |
申请号 |
CN201310706420.7 |
申请日期 |
2013.12.19 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
王莉;谢海忠;刘志强;伊晓燕;郭恩卿;王军喜;李晋闽 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
宋焰琴 |
主权项 |
一种晶圆级基板微通孔电镀方法,包括一下步骤:步骤1:化学清洗并高温酸洗带微通孔的基板;其中基板上带有通孔,高温酸洗后过PI和无水乙醇;步骤2:晶圆级基板一面蒸镀金属引导层;步骤3:金属引导层表面粘贴绝缘层;步骤3:外电源阳极与金属引导层相连接后,将所述基板放入硫酸铜溶液,直到基板背面通孔顶部冒出为止;步骤4:去掉绝缘层,并将去掉绝缘层的面与陶瓷盘固定,减薄机抛光突出部分;步骤5:去除陶瓷盘,完成微通孔电镀。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |