| 发明名称 | 用于W-CMP的化学机械研磨装置及研磨方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于W-CMP的化学机械研磨装置及研磨方法，其包括研磨平台、设置于研磨平台上的研磨垫、用于承载芯片并可相对于研磨垫运动的研磨头，其中，该研磨平台内还设有加热装置，以对研磨平台表面的研磨垫进行加热。本发明可以使钨的研磨过程保持在其最佳温度下进行，提高了研磨效率，并可降低芯片的成本。本发明可适用于半导体制造技术中钨研磨工艺的各种机台。 | ||
| 申请公布号 | CN103639886A | 申请公布日期 | 2014.03.19 |
| 申请号 | CN201310630238.8 | 申请日期 | 2013.11.29 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 严钧华;朱也方;王从刚;丁弋 |
| 分类号 | B24B37/04(2012.01)I;B24B37/34(2012.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | B24B37/04(2012.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;陶金龙 |
| 主权项 | 一种用于W‑CMP的化学机械研磨装置，其特征在于：其包括研磨平台、设置于研磨平台上的研磨垫、用于承载芯片并可相对于研磨垫运动的研磨头，其中，该研磨平台内还设有加热装置，以对研磨平台表面的研磨垫进行加热。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||