发明名称 |
使用可水溶管芯附接膜的激光及等离子体蚀刻晶圆切割 |
摘要 |
描述一种切割半导体晶圆的方法,其中每个晶圆具有多个集成电路。一种方法包括在半导体晶圆上方形成掩模,所述半导体晶圆位于可水溶管芯附接膜上,所述掩模覆盖并保护所述集成电路。以激光划线工艺图案化所述掩模,以提供具有间隙的图案化掩模。所述图案化暴露出所述集成电路之间的半导体晶圆的区域。然后经由所述图案化掩模中的间隙蚀刻所述半导体晶圆,以形成切割的集成电路。然后以水性溶液图案化可水溶管芯附接膜。 |
申请公布号 |
CN103650115A |
申请公布日期 |
2014.03.19 |
申请号 |
CN201280033999.9 |
申请日期 |
2012.05.23 |
申请人 |
应用材料公司 |
发明人 |
类维生;M·R·亚拉曼希里;B·伊顿;S·辛格;A·库玛 |
分类号 |
H01L21/301(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/301(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
何焜 |
主权项 |
一种切割包含多个集成电路的半导体晶圆的方法,所述方法包括以下步骤:在所述半导体晶圆上方形成掩模,所述半导体晶圆位于可水溶管芯附接膜上,所述掩模覆盖并保护所述集成电路;以激光划线工艺图案化所述掩模,以提供具有间隙的图案化掩模,从而暴露所述集成电路之间的所述半导体晶圆的区域;经由所述图案化掩模中的间隙蚀刻所述半导体晶圆,以形成切割的集成电路;以及以水性溶液图案化所述可水溶管芯附接膜。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |