| 发明名称 | 一种微波激发的超临界干燥装置及方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种微波激发的超临界干燥装置及方法，该超临界干燥装置包括：腔室(3)；设置于腔室(3)内盛载待测硅片(5)的石英装置(4)；设置于腔室(3)外且与石英装置(4)连通的真空抽水装置(1)；设置于腔室(3)内侧壁上的金属转盘(9)；设置于腔室(3)内与金属转盘(9)连接的电机(10)；设置于腔室(3)内的微波发生装置(11)；以及设置于腔室(3)内的黄色光源(12)。利用本发明，解决了微细结构的纳米图形在干燥过程中发生的断裂、倒伏或粘连等问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102929110B | 申请公布日期 | 2014.03.19 |
| 申请号 | CN201210438693.3 | 申请日期 | 2012.11.06 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 于明岩;景玉鹏;郭晓龙;赵士瑞;徐昕伟 |
| 分类号 | G03F7/40(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种微波激发的超临界干燥装置，其特征在于，包括：腔室(3)；设置于腔室(3)内盛载待测硅片(5)的石英装置(4)；设置于腔室(3)外且与石英装置(4)连通的真空抽水装置(1)；设置于腔室(3)内侧壁上的金属转盘(9)；设置于腔室(3)内与金属转盘(9)连接的电机(10)；设置于腔室(3)内的微波发生装置(11)；以及设置于腔室(3)内的黄色光源(12)；其中，所述金属转盘(9)固定于该超临界干燥装置的腔室(3)内侧壁上，并与电机(10)相连接，其上不放置任何物体，用于在旋转时打散驻波，使得待测硅片(5)加热均匀，不发生碎裂；在超临界干燥装置工作时，石英装置中盛有去离子水。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||