发明名称 |
微机械装置及其设计方法 |
摘要 |
本发明涉及一种微机械装置,包括:半导体元件,所述半导体元件能够产生偏转或谐振,并且包括具有不同材料性质的至少两个区域;以及功能性连接到所述半导体元件的驱动或传感机构。根据本发明,所述区域中的至少一个包括一种或多种n型掺杂剂,并且所述区域的相对体积、掺杂浓度、掺杂剂和/或晶体定向构造成使得所述区域的广义刚度的温度敏感度至少在一个温度下符号相反,并且在100℃的温度范围内,所述半导体元件的广义刚度的总体温度漂移为50ppm或更少。所述装置可以为谐振器。还公开了一种设计所述装置的方法。 |
申请公布号 |
CN103650343A |
申请公布日期 |
2014.03.19 |
申请号 |
CN201280023350.9 |
申请日期 |
2012.05.11 |
申请人 |
芬兰国家技术研究中心 |
发明人 |
米卡·普伦尼拉;安特尔·亚科拉;托马斯·彭萨拉 |
分类号 |
H03H9/02(2006.01)I;H03H9/24(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I |
主分类号 |
H03H9/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 |
代理人 |
吴大建;刘华联 |
主权项 |
一种微机械装置,包括:-半导体元件,所述半导体元件能够产生偏转或谐振,并且包括具有不同材料性质的至少两个区域;-功能性连接到所述半导体元件的驱动或传感机构,其特征在于,-所述区域中的至少一个包括一种或多种n型掺杂剂,-所述区域的相对体积、掺杂浓度、掺杂剂和/或晶体定向构造成使得:所述区域的广义刚度的温度敏感度至少在一个温度下符号相反;在100℃的温度范围内,所述半导体元件的广义刚度的总体温度漂移为50ppm或更少。 |
地址 |
芬兰渥里密汉缇 |