| 发明名称 | 含高阻寄生导电层的硅基III族氮化物薄膜及生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明是硅基III族氮化物薄膜高阻寄生导电层及生长方法，其结构包含硅衬底和硅基III族氮化物薄膜，其中硅基III族氮化物薄膜包含氮化铝成核层、过渡层和氮化镓层，其中氮化铝成核层位于硅衬底和过渡层之间。生长方法：1）采用111面单晶硅为衬底；2）在氢气气氛下采用低的温度对硅衬底进行10分钟的退火处理；3）采用低的温度生长氮化铝成核层；4）在氮化铝成核层上生长过渡层和氮化镓层。优点：可降低III族金属原子的扩散系数，减小扩散进入硅衬底的III族金属原子的剂量，寄生导电层具有差的导电性。由此研制的微波功率器件，漏电和微波能量损失小，可获得良好的击穿性能、功率输出性能、信号增益和工作效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103646961A | 申请公布日期 | 2014.03.19 |
| 申请号 | CN201310578349.9 | 申请日期 | 2013.11.19 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 发明人 | 倪金玉;李忠辉;陈堂胜 |
| 分类号 | H01L29/20(2006.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L29/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人 | 沈根水 |
| 主权项 | 含高阻寄生导电层的硅基III族氮化物薄膜，其特征是包含硅衬底和硅基III族氮化物薄膜，其中硅基III族氮化物薄膜包含氮化铝成核层、过渡层和氮化镓层，其中氮化铝成核层位于硅衬底和过渡层之间。 | ||
| 地址 | 210016 江苏省南京市中山东路524号 | ||