发明名称 电子束检测晶圆缺陷的方法
摘要 本发明涉及一种电子束检测晶圆缺陷的方法,包括如下步骤:检测晶圆各芯片区表层电路与前层电路的over lay值;根据各芯片区对应的over lay值是否大于检测阈值,将晶圆表面划分为检测区与非检测区;其中,检测阈值位于各芯片区对应的over lay值中最大值与最小值之间,检测区至少包括一芯片区;移动晶圆,对检测区中的每一芯片区以电子束扫描仪进行缺陷检测。其显著提升了晶圆缺陷检测的精度与效率,简单易行,便于在行业内推广应用。
申请公布号 CN103646898A 申请公布日期 2014.03.19
申请号 CN201310631509.1 申请日期 2013.11.29
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 倪棋梁;陈宏璘;龙吟
分类号 H01L21/66(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人 吴世华;陶金龙
主权项 一种电子束检测晶圆缺陷的方法,包括如下步骤:a)、检测晶圆各芯片区表层电路与前层电路的over lay值;b)、根据各芯片区对应的over lay值是否大于检测阈值,将所述晶圆表面划分为检测区与非检测区;其中,所述检测阈值位于各芯片区对应的over lay值中最大值与最小值之间,所述检测区至少包括一所述芯片区;c)、移动所述晶圆,对所述检测区中的每一芯片区以电子束扫描仪进行缺陷检测。
地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号