发明名称 |
电子束检测晶圆缺陷的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种电子束检测晶圆缺陷的方法,包括如下步骤:检测晶圆各芯片区表层电路与前层电路的over lay值;根据各芯片区对应的over lay值是否大于检测阈值,将晶圆表面划分为检测区与非检测区;其中,检测阈值位于各芯片区对应的over lay值中最大值与最小值之间,检测区至少包括一芯片区;移动晶圆,对检测区中的每一芯片区以电子束扫描仪进行缺陷检测。其显著提升了晶圆缺陷检测的精度与效率,简单易行,便于在行业内推广应用。 |
申请公布号 |
CN103646898A |
申请公布日期 |
2014.03.19 |
申请号 |
CN201310631509.1 |
申请日期 |
2013.11.29 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
倪棋梁;陈宏璘;龙吟 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;陶金龙 |
主权项 |
一种电子束检测晶圆缺陷的方法,包括如下步骤:a)、检测晶圆各芯片区表层电路与前层电路的over lay值;b)、根据各芯片区对应的over lay值是否大于检测阈值,将所述晶圆表面划分为检测区与非检测区;其中,所述检测阈值位于各芯片区对应的over lay值中最大值与最小值之间,所述检测区至少包括一所述芯片区;c)、移动所述晶圆,对所述检测区中的每一芯片区以电子束扫描仪进行缺陷检测。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |