发明名称 使用高透明电极改善撷取的离子束的品质的技术
摘要 揭示一种使用高透明电极改善撷取的离子束的品质的技术。在一特定的示例实施例中,技术可以实现为一种用于离子植入的装置。装置可包括用以产生离子束的离子源,离子源包括具有孔径的面板,且离子束行进通过所述孔径。装置亦可包括撷取电极组,撷取电极组包括至少一抑制电极与一高透明接地电极,其中撷取电极组可经由面板从离子源撷取离子束,以及其中高透明接地电极可经组态以最佳化抑制电极与高透明接地电极之间的气体传导,以改善撷取的离子束的品质。
申请公布号 CN102301453B 申请公布日期 2014.03.19
申请号 CN201080005824.8 申请日期 2010.02.12
申请人 瓦里安半导体设备公司 发明人 詹姆士·S·贝福;史费特那·瑞都凡诺史费特那;具本雄;威尔汉·P·普拉托;法兰克·辛克莱;杰弗里·D·里斯查尔;奎格·R·钱尼;史蒂芬·C·鲍里雪柏史凯;捷葛泰普·玫尔;艾利克·R·科步;肯尼夫·H·普许尔;沙杜·佩特尔;维克多·M·本夫尼斯特
分类号 H01L21/265(2006.01)I 主分类号 H01L21/265(2006.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人 臧建明
主权项 一种装置,用以改善离子束的品质,包括: 离子源,用以产生离子束,所述离子源包括具有孔径的面板,其中所述离子束行进通过所述孔径;以及 撷取电极组,包括至少一抑制电极与一高透明接地电极,其中所述撷取电极组经由所述面板从所述离子源撷取所述离子束,以及其中所述高透明接地电极经组态以最佳化所述抑制电极与所述高透明接地电极之间的气体传导,以改善撷取的离子束的品质,并且其中所述高透明接地电极经组态成具有总高度H、一或多个狭缝部、基底角θ以及狭缝角δ,其中所述总高度包括基底高度y以及狭缝高度x,使得所述基底高度y小于所述狭缝高度x,且基底对狭缝的高度的比值y/x等于或小于1。
地址 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号