| 摘要 |
<p>Es werden ein sechseckiges, programmierbares Array eines Metalloxidsilizium-Feldeffekttransistors aus Silizium-Nanodraht und ein Herstellungsverfahren davon bereitgestellt. Das Array umfasst eine Nanodrahteinrichtung, einen Nanodrahteinrichtungs-Verbindungsbereich und einen Gateverbindungsbereich, wobei die Nanodrahteinrichtung eine zylindrische Struktur aufweist und einen Silizium-Nanodrahtkanal, eine dielektrische Gateschicht und einen Gatebereich umfasst, wobei die dielektrische Gateschicht den Silizium-Nanodrahtkanal umhüllt und der Gatebereich die dielektrische Gateschicht umhüllt, und die Nanodrahteinrichtungen in sechseckiger Form angeordnet sind, um eine Einheit zu bilden, wobei der Nanodrahteinrichtungs-Verbindungsbereich ein Verbindungsknoten zwischen drei Nanodrahteinrichtungen ist und auf einem Siliziumträger befestigt ist. Die vorliegende Erfindung kann eine komplizierte, verbundene Steuerlogik realisieren und ist geeignet, um in Digital-/Analogschaltkreisen und in digitalen und analogen Hybridschaltkreisen von hoher Geschwindigkeit, welche hoch integriert sind, angewendet zu werden.</p> |
