发明名称 Leistungshalbleiterchip mit zwei Metallschichten auf einer Fläche
摘要 Ein Halbleiterchip beinhaltet eine Leistungstransistorschaltung mit mehreren aktiven Transistorzellen. Eine erste Lastelektrode und eine Steuerelektrode sind auf einer ersten Fläche des Halbleiterchips angeordnet, wobei die erste Lastelektrode eine erste Metallschicht beinhaltet. Eine zweite Lastelektrode ist auf einer zweiten Fläche des Halbleiterchips angeordnet. Eine zweite Metallschicht ist über der ersten Metallschicht angeordnet, wobei die zweite Metallschicht elektrisch gegenüber der Leistungstransistorschaltung isoliert ist und die zweite Metallschicht über einen Bereich der Leistungstransistorschaltung angeordnet ist, der mindestens eine der mehreren aktiven Transistorzellen umfasst.
申请公布号 DE102012106566(A9) 申请公布日期 2014.03.13
申请号 DE201210106566 申请日期 2012.07.19
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 OTREMBA, RALF;HOEGLAUER, JOSEF;SCHREDL, JUERGEN;SCHLOEGEL, XAVER
分类号 H01L23/482;H01L21/58;H01L25/11 主分类号 H01L23/482
代理机构 代理人
主权项
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