一种叠层芯片的晶圆级铜凸块封装结构

摘要

发明涉及一种叠层芯片的晶圆级铜凸块封装结构，包括第一硅承载层和第二硅承载层组成的叠层芯片，第二硅承载层铺设在第一硅承载层的底部形成凸起区域；第一硅承载层的底部和凸起区域上均生长有电性隔绝层，并留有第一开口和第二开口；第一开口中设有第一电性连接点；第二开口中设有第二电性连接点；电性隔绝层上生长有光阻层；光阻层上生长有金属层；金属层覆盖第一电性连接点和第二电性连接点；第一电性连接点上通过多次电镀形成第一铜凸块；第二电性连接点上通过多次电镀形成第二铜凸块；第一铜凸块和第二铜凸块顶部处于同一水平面；第一铜凸块和第二铜凸块的顶部生长有等高度的金属球。本发明能够保证在倒装焊的过程中更好地连接。

主权项

一种叠层芯片的晶圆级铜凸块封装结构，包括叠层芯片，其特征在于，所述叠层芯片包括第一硅承载层和第二硅承载层，所述第二硅承载层铺设在所述第一硅承载层的底部形成凸起区域；所述第一硅承载层的底部和凸起区域上均生长有电性隔绝层，所述第一硅承载层的底部上的电性隔绝层上留有第一开口；所述第一开口中设有第一电性连接点；所述凸起区域上的电性隔绝层上留有第二开口；所述第二开口中设有第二电性连接点；所述电性隔绝层上生长有光阻层；所述光阻层上生长有金属层；所述金属层覆盖所述第一电性连接点和第二电性连接点；所述第一电性连接点上通过多次电镀形成第一铜凸块；所述第二电性连接点上通过多次电镀形成第二铜凸块；所述第一铜凸块和第二铜凸块顶部处于同一水平面；所述第一铜凸块和第二铜凸块的顶部生长有等高度的金属球。