| 发明名称 | 浅沟槽隔离的制作方法 | ||
| 摘要 | 发明提供了一种浅沟槽隔离的制作方法，包括：提供表面覆盖有掩膜结构的半导体衬底，所述掩膜结构上形成有暴露半导体衬底的开口；以掩膜结构为掩膜，在半导体衬底上刻蚀出与所述开口相对应的沟槽；在所述沟槽的侧壁以及底部形成衬氧化层；在氩气气氛下进行退火；在所述沟槽内填充绝缘介质，形成浅沟槽隔离。本发明所述制造方法可以使得沟槽顶部边角圆滑化，且相较于现有技术简化了工艺步骤，降低工艺成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102222636B | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201010154803.4 | 申请日期 | 2010.04.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 陈碧钦;宋化龙;沈忆华 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于，包括：提供表面覆盖有掩膜结构的半导体衬底，所述掩膜结构上形成有暴露半导体衬底的开口；以掩膜结构为掩膜，在半导体衬底上刻蚀出与所述开口相对应的沟槽；在所述沟槽的侧壁以及底部形成衬氧化层；形成所述衬氧化层后，在氩气气氛下进行退火，以利用衬氧化层的限制，控制边角圆滑化后的形状以及大小；所述退火后，在所述沟槽内填充绝缘介质，形成浅沟槽隔离。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||