发明名称 一种纠错SRAM的回写方法
摘要 发明要解决的技术问题是提供一种纠错SRAM的回写方法。通过冗余校验位产生纠错控制信号,并由该纠错控制信号控制产生回写写入信号以及回写地址信号,确保了地址信号的不变,并及时将存储在n位存储单元的数据写入SRAM,完成回写功能,确保了数据不被损坏且按照原地址进行了回写,保证了原有数据在被读取后不受损坏,并避免了累计错误。
申请公布号 CN103631669A 申请公布日期 2014.03.12
申请号 CN201310643265.9 申请日期 2013.12.03
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 刘鑫;赵发展;韩郑生
分类号 G06F11/08(2006.01)I 主分类号 G06F11/08(2006.01)I
代理机构 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人 刘杰
主权项 一种纠错SRAM的回写方法,其特征在于,包括以下步骤:将正确字码输出同时存入一个冗余的n位存储单元,并将其地址信号存储在锁存器中;对存入n位存储单元的根据线性分组码的编码理论进行编码,产生冗余校验位;通过冗余校验位产生纠错控制信号;读写信号与纠错控制信号进行异或产生回写写入信号;地址信号与纠错控制信号与产生回写地址信号;根据回写地址信号以及回写写入信号将存储在n位存储单元的数据写入SRAM,完成回写功能。
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