一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法

摘要

发明公开了一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法，包括：在InP衬底正面的外延层上制作MMIC电路；涂敷光刻胶层保护该MMIC电路，形成InP基片；将该InP基片、蓝宝石双面抛光片和磨花玻璃基板采用石蜡黏合，形成5层叠层结构；对该5层叠层结构中InP基片的背面进行研磨减薄和抛光；在该InP基片背面的抛光面上制作Ni掩膜层；采用HF酸腐蚀去除部分Ni掩膜层；用HBr气体从该InP基片背面进行刻蚀，刻穿InP衬底及衬底正面的外延层，直至外延层上的MMIC电路；在该Ni掩膜层上溅射Ti/Au起镀层；在该Ti/Au起镀层上电镀Au；超声剥离该Ti/Au起镀层之外的Au，得到背面金属结构；融化高温石蜡，分离该5层叠层结构中的蓝宝石双面抛光片。

主权项

一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法，该方法包括：步骤1：在InP衬底正面的外延层上制作MMIC电路；步骤2：在InP衬底正面的外延层及该MMIC电路之上涂敷光刻胶层保护该MMIC电路，形成InP基片；步骤3：将该InP基片、蓝宝石双面抛光片和磨花玻璃基板采用石蜡黏合，形成5层叠层结构；其中，该蓝宝石双面抛光片与该InP基片正面之间采用高温石蜡黏合，该蓝宝石双面抛光片与该磨花玻璃基板之间采用低温石蜡黏合；步骤4：对该5层叠层结构中InP基片的背面进行研磨减薄；步骤5：使用化学机械抛光对减薄后的该InP基片背面进行抛光；步骤6：融化低温石蜡，分离该5层叠层结构中的磨花玻璃基板；步骤7：采用溅射工艺，在该InP基片背面的抛光面上制作Ni掩膜层；步骤8：在该Ni掩膜层上涂敷光刻胶，并对该光刻胶进行光刻得到刻蚀图形；步骤9：以该刻蚀图形为掩模，采用HF酸腐蚀去除部分Ni掩膜层；步骤10：去除未腐蚀Ni掩膜层上的光刻胶，并采用ICP工艺，以未腐蚀Ni掩膜层为掩模，用HBr气体从该InP基片背面进行刻蚀，刻穿InP衬底及衬底正面的外延层，直至外延层上的MMIC电路；步骤11：在该Ni掩膜层上溅射Ti/Au起镀层；步骤12：在该Ti/Au起镀层上光刻电镀用图形；步骤13：在该Ti/Au起镀层上电镀Au；步骤14：超声剥离该Ti/Au起镀层之外的Au，得到背面金属结构；步骤15：融化高温石蜡，分离该5层叠层结构中的蓝宝石双面抛光片。