SiC单晶膜的制造方法及装置

摘要

种SiC单晶膜的制造方法，该方法通过使用了以熔体为溶剂的SiC溶液的LPE法来使低掺杂浓度的SiC外延膜在直径2英寸以上的基板上稳定生长，该方法包括在将熔体材料引入到晶体生长炉之前一边加热炉内一边真空排气，直至晶体生长温度下的真空度达到5×10-3Pa以下的工序。此后，将填充有熔体材料的坩埚引入到炉内，形成SiC溶液，使SiC外延膜在浸渍于该溶液中的基板上生长。

主权项

一种SiC单晶膜的制造方法，其特征在于，该方法在晶体生长炉内使SiC单晶在下述基板上外延生长，所述晶体生长炉包括：坩埚，其用于容纳以选自Si金属和Si‑M合金中的材料的熔体为溶剂的SiC溶液，其中M为除Si以外的一种以上金属；晶体保持件，其保持SiC单晶基板且可升降；主室，其能容纳所述坩埚和所述晶体保持件，能进行内部的真空排气和气氛调节；以及加热装置，其用于加热所述主室内的至少配置所述坩埚的区域，该方法包括下述工序：·排气工序，在不存在所述熔体的材料的状态下，一边对所述主室内进行排气，一边将所述主室内的至少配置所述坩埚的区域加热至SiC晶体生长温度以上的温度，使SiC晶体生长温度下的所述主室内的真空度为5×10‑3Pa以下；·SiC溶液形成工序，将内部容纳有所述熔体的材料的所述坩埚配置在所述主室内的规定位置，将该坩埚加热至所述熔体的材料的熔点以上来使所述熔体的材料熔解，并且使碳溶解在该熔体中，从而在所述坩埚内形成SiC溶液；以及·晶体生长工序，使用所述晶体保持件来将所述SiC单晶基板浸渍在所述SiC溶液中，使所述SiC溶液中的至少所述基板的附近通过过冷而处于过饱和状态，使SiC单晶在所述基板上外延生长；并且在从所述排气工序到所述晶体生长工序为止的期间不使主室的内部暴露于大气。