薄膜晶体管

摘要

种薄膜晶体管，包括：覆盖栅电极的栅绝缘层、与该栅绝缘层接触的半导体层、以及与半导体层的一部分接触且形成源极区和漏极区的杂质半导体层。该半导体层包括在栅绝缘层上形成的微晶半导体层，以及与该微晶半导体层接触的含氮微晶半导体区。可高生产率地制造截止电流小且导通电流大的薄膜晶体管。

主权项

一种薄膜晶体管，包括：衬底上的栅电极；覆盖所述栅电极的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上并与之接触的半导体层；以及配置成形成源极区和漏极区的杂质半导体层，所述源极区和漏极区在所述半导体层的一部分上并与之接触，其中通过SIMS获得的半导体层中的氮浓度分布曲线从所述栅绝缘层一侧向所述杂质半导体层展现为增加以达到最大值，然后减少。