发明名称 |
钨海绵基体去铜的方法 |
摘要 |
发明提供了一种钨海绵基体去铜的方法。该方法包括:将钨海绵基体放入真空腔内;将真空腔抽真空至5×10-4Pa以上;以及将钨海绵基体加热至1600℃~1900℃之间并保温,使钨海绵基体中的铜蒸发后从钨海绵基体表面溢出蒸发至真空腔内的冷凝器上。本发明简单易行、成本低,可以非常快速的将钨海绵基体中的铜去除干净,同时也避免了因化学去铜而带来的环境污染。 |
申请公布号 |
CN103627919A |
申请公布日期 |
2014.03.12 |
申请号 |
CN201310208189.9 |
申请日期 |
2013.05.30 |
申请人 |
中国科学院电子学研究所 |
发明人 |
刘燕文;王小霞;朱虹;张明晨;李玉涛;徐伟;谷兵;陆玉新;方荣 |
分类号 |
C22C1/08(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I |
主分类号 |
C22C1/08(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
曹玲柱 |
主权项 |
一种钨海绵基体去铜的方法,其特征在于,包括:将钨海绵基体放入真空腔内;将所述真空腔抽真空至5×10‑4Pa以上;以及将所述钨海绵基体加热至1600℃~1900℃之间并保温,使钨海绵基体中的铜蒸发后从钨海绵基体表面溢出蒸发至真空腔内的冷凝器上。 |
地址 |
100190 北京市海淀区北四环西路19号 |