| 发明名称 | 具有倾斜源极/漏极的半导体器件和关联方法 | ||
| 摘要 | 种半导体器件包括其中具有沟道区域的半导体衬底、在沟道区域以上的栅极结构以及在栅极结构的相对侧上的源极和漏极区域。相应接触在源极和漏极区域中的每个区域上。源极和漏极区域中的至少一个区域具有相对于相应接触的倾斜的上接触表面。倾斜的上接触表面具有比对应平坦接触表面将有的面积大至少50％的面积。 | ||
| 申请公布号 | CN103632937A | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201310376750.4 | 申请日期 | 2013.08.21 |
| 申请人 | 意法半导体公司 | 发明人 | 柳青;P·卡雷;N·劳贝特 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华;张宁 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有在所述半导体衬底中的沟道区域；在所述沟道区域以上的栅极结构；在所述栅极结构的相对侧上的源极区域和漏极区域；在所述源极区域和所述漏极区域中的每个区域上的相应接触；所述源极区域和所述漏极区域中的至少一个区域具有相对于所述相应接触的倾斜的上接触表面。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯州 | ||