| 发明名称 | 非连续复合阻挡层、其形成方法及包含其的封装结构 | ||
| 摘要 | 发明提出一种非连续复合阻挡层及其形成方法。非连续复合阻挡层包括：一第一阻挡层，位于一基板上；以及一第二阻挡层，位于第一阻挡层上，其中第一、第二阻挡层皆包括间隔设置的多个无机材料区及多个有机硅化合物(organo-silicon material)区，且第一、第二阻挡层的无机材料区与有机硅化合物区上下交替堆叠。本发明还提供包含上述非连续复合阻挡层的封装结构。 | ||
| 申请公布号 | CN103633248A | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201210410391.5 | 申请日期 | 2012.10.24 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 陈俊廷;赖丰文;林昆蔚;王登彦 |
| 分类号 | H01L51/50(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
| 主权项 | 一种非连续复合阻挡层，包括：一第一阻挡层，位于一基板上；以及一第二阻挡层，位于该第一阻挡层上，其中该第一、第二阻挡层皆包括间隔设置的多个无机材料区及多个有机硅化合物(organo‑silicon material)区，且该第一、第二阻挡层的所述无机材料区与所述有机硅化合物区上下交替堆叠。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||