单晶/多晶硅片多线切割自动脱胶方法及其装置

摘要

发明公开了一种单晶/多晶硅片多线切割自动脱胶方法及装置，包括粘接于连接板上待脱胶的工件（硅片），可容纳悬置工件（硅片）的承载框架，所述的承载框架包括底板、分别设置于前侧面、后侧面与定位工件（硅片）配合的挡板，所述的前侧面、后侧面的两挡板上设有间隔穿插于工件（硅片）间的定位插条，所述的连接板悬置于承载框架上，所述的粘接于连接板上待脱胶的工件（硅片）底部相对于底板悬空，所述的底板上铺设有工件（硅片）脱胶后下落的缓冲层。本发明自动脱胶方法及其装置，可完全消除人为因素的影响，方法可行，操作安全，且装置制作简单，应用方便，效果明显。

主权项

一种单晶/多晶硅片多线切割自动脱胶的方法，其特征在于：其步骤为1)将粘接于连接板上待脱胶的工件悬挂于一可容纳悬置工件的承载框架上，并与承载框架前侧面、后侧面分别所设的工件配合的挡板配合，工件底部悬空于铺设缓冲层的底板上；2)待脱胶的工件悬置于承载框架上后，从工件两侧起，间隔穿插设置定位插条，定位插条定位于承载框架前侧面、后侧面的两挡板上；3)将上一步的悬挂有工件的承载框架放入预冲洗槽，用水喷淋冲洗10~15分钟至排出水无黑色污染物；4)将上一步预冲洗好的悬挂有工件的承载框架放入加热脱胶槽，在水与乳酸配制的混合液中加热浸泡并完成自动脱胶，脱胶后工件下落至底板所铺设的缓冲层上。