| 发明名称 | 一种纳米压电免疫传感器的制备方法及其应用 | ||
| 摘要 | 发明公开了一种纳米压电免疫传感器的制备方法，本发明用纳米金颗粒修饰压电石英晶体金电极，然后用酒精和去离子水冲洗后氮气干燥，采用自组装技术将抗-大肠杆菌O157:H7抗体修饰于纳米金表面，再将所述压电石英晶体用乙醇胺溶液处理即得到纳米压电免疫传感器。本发明纳米压电免疫传感器制备方法简单，用于大肠杆菌O157:H7的检测方法简易便行、响应时间短，为食源性致病菌的快速检测创造了重要条件。 | ||
| 申请公布号 | CN103630687A | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201310410554.4 | 申请日期 | 2013.09.10 |
| 申请人 | 杭州电子科技大学 | 发明人 | 李杜娟;王剑平;周玲;盖玲 |
| 分类号 | G01N33/569(2006.01)I;G01N33/531(2006.01)I | 主分类号 | G01N33/569(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人 | 杜军 |
| 主权项 | 纳米压电免疫传感器制备方法，其特征在于：用纳米金颗粒修饰压电石英晶体金电极，然后用酒精和去离子水冲洗后氮气干燥，采用自组装技术将抗‑大肠杆菌O157:H7抗体修饰于纳米金表面，再将所述压电石英晶体用乙醇胺溶液处理即得到纳米压电免疫传感器。 | ||
| 地址 | 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 | ||