用于生长III族氮化物半导体晶体的方法以及用于III族氮化物半导体晶体的生长装置

摘要

发明涉及一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法以及用于III族氮化物半导体晶体的生长装置。一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法，其提供有以下步骤：首先，准备包括用于屏蔽来自在腔中材料(13)的热辐射的热屏蔽部的腔。然后，将材料(13)设置在腔中的热屏蔽部的一侧。接下来，通过加热要被升华的材料，将材料气体沉积在腔中热屏蔽部的另一侧，使得生长III族氮化物半导体晶体。

主权项

一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法，该方法通过对包含III族氮化物半导体的材料进行升华以及对所升华的材料气体进行沉积，所述方法包括以下步骤：准备包括热屏蔽部的腔，所述热屏蔽部用于屏蔽来自所述腔中的所述材料的热辐射；将所述材料设置在所述腔中的所述热屏蔽部的一侧；以及通过加热要被升华的所述材料以及在所述腔中的所述热屏蔽部的另一侧上沉积所述材料气体，来生长所述III族氮化物半导体晶体，其中，所述热屏蔽部包括多个板状部，所述多个板状部处于用于设置所述材料的第一空间和用于生长所述III族氮化物半导体晶体的第二空间之间，所述多个板状部被设置成在所述第一空间和所述第二空间中的每个之中形成分隔的第三空间，并且所述多个板状部具有用于允许所述材料气体通过的通孔，并且，其中，生长所述III族氮化物半导体晶体的步骤包括以下步骤：在所述第三空间中将所述材料气体沉积为其它III族氮化物半导体晶体；以及通过升华所述其它III族氮化物半导体晶体，来在所述第二空间中生长所述III族氮化物半导体晶体。