发明名称 包括相互层叠的半导体封装体的半导体装置
摘要 导体装置包括相互堆叠的多个半导体封装体。每个半导体封装体包括布置在半导体封装体的外壳部分内的主电流电极端子,主电流电极端子暴露在外壳部分的外部以电连接至外部电源。主电流电极端子沿半导体封装体的堆叠方向延伸,并在其面向外壳部分的外表面的表面部处嵌入外壳部分内。主电流电极端子沿堆叠方向的两个端面部分别到达外壳部分沿堆叠方向的端面部,使得当半导体封装体沿堆叠方向相互堆叠时,每相邻的两个半导体封装体的主电流电极端子相互接触。
申请公布号 CN102315210B 申请公布日期 2014.03.12
申请号 CN201110195686.0 申请日期 2011.07.08
申请人 株式会社电装 发明人 井手茂生;岩出知生
分类号 H01L25/11(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/473(2006.01)I 主分类号 H01L25/11(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 魏金霞;杨献智
主权项 一种半导体装置,包括:相互堆叠的多个半导体封装体,每个所述半导体封装体包括:半导体元件;金属体,所述金属体通过焊接部与所述半导体元件连接,以传导所述半导体元件内产生的热;外壳部分,所述外壳部分成形为形成供冷却剂流过的冷却剂通道,并且所述外壳部分容纳所述半导体元件和所述金属体;以及主电流电极端子,所述主电流电极端子在其面向所述外壳部分的外表面的表面部处嵌入所述外壳部分内并与所述半导体元件电连接,所述主电流电极端子局部暴露在所述外壳部分的外部以电连接至外部电源,其中,当所述半导体封装体堆叠的方向称为堆叠方向时,所述主电流电极端子沿所述堆叠方向延伸,所述主电流电极端子沿所述堆叠方向的两个端面部分别到达所述外壳部分沿所述堆叠方向的端面部,使得当所述半导体封装体沿所述堆叠方向相互堆叠时,每相邻的两个所述半导体封装体的所述主电流电极端子相互接触。
地址 日本爱知县