| 发明名称 | 晶体管的制作方法 | ||
| 摘要 | 发明提供了一种晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成牺牲层，所述牺牲层利用沉积工艺形成；在所述牺牲层上形成伪栅极；在所述伪栅极和牺牲层两侧的半导体衬底内形成源区和漏区；形成与所述伪栅极齐平的层间介质层，所述层间介质层覆盖所述源区和漏区；去除所述伪栅极和牺牲层，在所述层间介质层内形成露出所述半导体衬底的沟槽；在所述沟槽底部形成栅介质层；在所述沟槽侧壁和底部形成高K介质层；在所述高K介质层上形成金属栅极，所述金属栅极填充满所述沟槽且与所述层间介质层齐平。本发明改善了晶体管的漏电流问题，提高了晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102479722B | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201010568378.3 | 申请日期 | 2010.11.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 史运泽;徐友锋;刘焕新 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成牺牲层，所述牺牲层利用沉积工艺形成；在所述牺牲层上形成伪栅极；在所述伪栅极和牺牲层两侧的半导体衬底内形成源区和漏区；形成与所述伪栅极齐平的层间介质层，所述层间介质层覆盖所述源区和漏区；去除所述伪栅极和牺牲层，在所述层间介质层内形成露出所述半导体衬底的沟槽；利用化学氧化工艺在所述沟槽底部形成栅介质层，所述化学氧化工艺的温度小于300摄氏度；在所述沟槽侧壁和底部形成高K介质层;在所述高K介质层上形成金属栅极，所述金属栅极填充满所述沟槽且与所述层间介质层齐平。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||