主权项 |
一种基于SOI的TSV高频立体集成互连结构,包括内部圆柱型TSV通孔和外部环形TSV通孔,其特征在于:所述的内部圆柱形TSV通孔与外部环形TSV通孔同轴,且两者之间填充厚度为W3的苯并环丁烯树脂绝缘胶;所述的外部环形TSV通孔由外向内依次为厚度D1的二氧化硅绝缘层、厚度D2的阻挡层TaN、厚度D3的铜种子层和宽度W2的中空铜柱,D2:D3=1:1~1:1.5;所述的内部圆柱形TSV通孔由外向内也依次由厚度D1的二氧化硅绝缘层、厚度D2的阻挡层TaN、厚度D3的铜种子层和直径为W1的圆柱形铜柱组成;所述的二氧化硅绝缘层、阻挡层TaN、种子层、中空铜柱和铜柱都纵向贯穿SOI衬底的顶层硅、二氧化硅埋氧层和底层硅;所述的厚度 <mrow> <mi>W</mi> <mn>3</mn> <mo>=</mo> <msqrt> <msup> <mrow> <mo>(</mo> <mfrac> <msub> <mi>w</mi> <mn>1</mn> </msub> <mn>2</mn> </mfrac> <mo>)</mo> </mrow> <mn>2</mn> </msup> <mo>+</mo> <msup> <mrow> <mo>(</mo> <mn>2</mn> <mi>D</mi> <mn>1</mn> <mo>+</mo> <mn>2</mn> <mi>D</mi> <mn>2</mn> <mo>+</mo> <mn>2</mn> <mi>D</mi> <mn>3</mn> <mo>+</mo> <mfrac> <msub> <mi>w</mi> <mn>1</mn> </msub> <mn>2</mn> </mfrac> <mo>)</mo> </mrow> <mn>2</mn> </msup> </msqrt> <mo>-</mo> <mrow> <mo>(</mo> <mi>w</mi> <mn>2</mn> <mo>+</mo> <mn>2</mn> <mi>D</mi> <mn>1</mn> <mo>+</mo> <mn>2</mn> <mi>D</mi> <mn>2</mn> <mo>+</mo> <mn>2</mn> <mi>D</mi> <mn>3</mn> <mo>+</mo> <mfrac> <msub> <mi>w</mi> <mn>1</mn> </msub> <mn>2</mn> </mfrac> <mo>)</mo> </mrow> <mo>.</mo> </mrow> |