在基板上形成氧化硅层的方法

摘要

种在基板上沉积氧化硅层的方法，包括提供基板至沉积室。第一含硅前驱物、第二含硅前驱物与氨气(NH3)等离子体反应以形成氧化硅层。第一含硅前驱物包括Si-H和Si-Si键的至少其中之一。第二含硅前驱物包括至少一Si-N键。沉积的氧化硅层经过退火处理。

主权项

一种在基板上沉积可流动的氧化硅层的方法，该方法包括：提供基板至沉积室；解离含臭氧的前驱物以形成原子氧，其中解离该含臭氧的前驱物包括将该含臭氧的前驱物引入远程等离子体产生室中并且点燃在该远程等离子体产生室中的等离子体；将原子氧从远程等离子体产生室转移到沉积室中；向该沉积室中引入C:Si原子比为8以下的硅前驱物，该硅前驱物与该原子氧首先在该沉积室内混合；使该硅前驱物与该原子氧反应，以在该基板上形成该可流动的氧化硅层；以及对沉积的该氧化硅层进行退火处理，其中，该硅前驱物是卤代硅氧烷化合物。