发明名称 厚膜导体形成用组成物、使用该组成物形成的厚膜导体及使用该厚膜导体的晶片电阻器
摘要
申请公布号 TWI429609 申请公布日期 2014.03.11
申请号 TW100129331 申请日期 2011.08.17
申请人 住友金属鑛山股份有限公司 日本 发明人 石山直希;粟洼慎吾
分类号 C03C8/14;H01B1/16;H01B1/22;H01B5/14;H01C7/00;H01C17/065 主分类号 C03C8/14
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼
主权项
地址 日本