发明名称 Verfahren zur Bestimmung eines Korrekturwerts für die Vermessung von Positionen von Strukturen auf einem Substrat
摘要 Verfahren zur Bestimmung eines Korrekturwerts für die Vermessung von Positionen von Strukturen auf einer Maske, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte: • Berechnen einer Vielzahl zu erwartender Intensitätsverteilungen von einem strukturierten Bereich der Maske durch Variation der Solldaten dieses strukturierten Bereichs; • Ermitteln einer Verteilung der zu erwartenden Istdaten aus den jeweils durch Variation der Solldaten berechneten Intensitätsverteilungen; und • Auswahl einer Korrekturmethode für gemessene Daten des strukturierten Bereichs in Abhängigkeit von dem Maß der Variation der ermittelten Verteilung, derart, dass a. bei Unterschreiten eines vordefinierten Werts der Variation ein konstanter Korrekturwert für die Bestimmung der gemessenen Istdaten des strukturierten Bereichs ermittelt wird, und b. bei Überschreiten eines vordefinierten Werts der Variation so lange variierte Solldaten des strukturierten Bereichs erzeugt und die dazugehörigen zu erwartenden Intensitätsverteilungen berechnet werden, bis eine Übereinstimmung der gemessenen Intensitätsverteilung und der berechneten Intensitätsverteilung innerhalb einer definierten Toleranz erreicht ist, und dass eine Abweichung der Solldaten von den variierten Solldaten ausgegeben wird.
申请公布号 DE102008002755(B4) 申请公布日期 2014.03.06
申请号 DE20081002755 申请日期 2008.01.24
申请人 VISTEC SEMICONDUCTOR SYSTEMS GMBH 发明人 HEIDEN, MICHAEL
分类号 G01B11/03;G01B11/14;G01B11/24 主分类号 G01B11/03
代理机构 代理人
主权项
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