| 发明名称 |
Integrierbare Elektrode mit nichtflüchtig positionierbarer, statisch geladener Grenzschicht, Aufbau und Verwendung |
| 摘要 |
<p>Die Erfindung beschreibt den Aufbau einer in einem Halbleiterbauelement integrierbaren Elektrode mit nichtflüchtig positionierbarer, statisch geladener Grenzschicht. Weiterhin wird die Verwendung der integrierbaren Elektrode in Photobauelementen, Teilchendetektoren, in kapazitiven Energiespeichern und in Logikbauelementen beschrieben</p> |
| 申请公布号 |
DE102012104425(B4) |
申请公布日期 |
2014.03.06 |
| 申请号 |
DE201210104425 |
申请日期 |
2012.05.23 |
| 申请人 |
HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN - ROSSENDORF E.V. |
发明人 |
SHUAI, YAO;SCHMIDT, HEIDEMARIE;ZHOU, SHENGQIANG;SKORUPA, ILONA;WENBO, LUO;NAN, DU |
| 分类号 |
H01L49/00;H01L29/78;H01L31/115;H01L41/083 |
主分类号 |
H01L49/00 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
