发明名称 Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
摘要 <p>Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul, wobei das Leistungshalbleitermodul (1, 1‘‘) einen elektrisch leitenden Metallformkörper (2) und eine strukturierte, elektrisch leitende Metallblechelemente (5) aufweisende, Metallblechanordnung (4) aufweist, die über eine elektrisch nicht leitende Isolationsschicht (3) mit dem Metallformkörper (2) verbunden ist, wobei die Metallblechelemente (5) in Richtung der Isolationsschicht (3) senkrecht zur Isolationsschicht (3) verlaufende Seitenkanten (14) aufweisen, wobei das Leistungshalbleitermodul (1, 1‘‘) einen gehausten Leistungshalbleiterschalter (10a, 10b) aufweist, der über eine zwischen dem gehausten Leistungshalbleiterschalter (10a, 10b) und der Metallblechanordnung (4) angeordnete Sinterschicht (9) mit der Metallblechanordnung (4) verbunden ist. Weiterhin betriff die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls (1, 1‘‘). Die Erfindung schafft ein zuverlässiges Leistungshalbleitermodul (1, 1‘‘).</p>
申请公布号 DE102012215656(A1) 申请公布日期 2014.03.06
申请号 DE201210215656 申请日期 2012.09.04
申请人 SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH &amp, CO. KG 发明人 GOEBL, CHRISTIAN;STEGER, JUERGEN
分类号 H01L23/48;H01L21/60;H01L25/07 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人
主权项
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