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<p>Die Bildung von Überlappungsbereichen in komplexen Halbleitervorrichtungen stellt einen kritischen Aspekt dar, der auf Grundlage herkömmlicher Mess- und Designstrategien nicht effizient auswertbar ist. Aus diesem Grund stellt die vorliegende Erfindung Messtechniken und -systeme bereit, in denen überlagernde Vorrichtungsstrukturen in die gleiche Materialschicht übertragen werden, wodurch eine kombinierte Struktur gebildet wird, die bekannten Defektinspektionstechniken zugänglich ist. Durch eine geometrische Modulierung einiger dieser kombinierten Strukturen kann eine systematische Auswertung der Überlappungsprozessfenster erreicht werden.</p> |
