发明名称 转印薄膜的方法
摘要 本发明公开了一种将薄膜从第一基板转印至第二基板的方法,包括步骤:提供转印结构以及提供在第一基板的表面上的薄膜,所述转印结构包括支撑层以及薄膜接触层,其中所述转印结构与所述薄膜接触;移除所述第一基板以获取所述薄膜与所述薄膜接触层接触的转印结构;将所述获取的转印结构接触第二基板的表面;以及移除所述薄膜接触层,从而将所述薄膜转印至所述第二基板的表面上。
申请公布号 CN103620733A 申请公布日期 2014.03.05
申请号 CN201280031744.9 申请日期 2012.05.23
申请人 新加坡国立大学 发明人 蔡蕾蕾;霍彼得;方瑞琪;金方宇;宋杰;王洛阮;卓晶梅;罗建平;林巨强
分类号 H01L21/00(2006.01)I;B32B7/00(2006.01)I;B32B27/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人 申健
主权项 一种将薄膜从第一基板转印至第二基板的方法,包括步骤:(a)提供转印结构以及提供在第一基板的表面上的薄膜,所述转印结构包括支撑层以及薄膜接触层,其中所述转印结构与所述薄膜接触;(b)移除所述第一基板以获取所述薄膜与所述薄膜接触层接触的转印结构;(c)将在所述步骤(b)中获取的所述转印结构接触第二基板的表面;以及(d)移除所述薄膜接触层。
地址 新加坡新加坡市