一种涂层导体DyBCO超导层的生长方法及DyBCO涂层导体

摘要

本发明提供一种涂层导体DyBCO超导层的生长方法及DyBCO涂层导体，具体涉及一种在具有立方织构氧化物隔离层的金属基带上制备DyBCO超导层的方法，有效克服YBCO超导层的厚度效应，提高超导载流能力。该制备方法利用磁控溅射沉积技术。先将反应室抽真空至真空度小于等于5×10-4Pa，将金属基带加热至600-700℃，20-30分钟后充入氩气和氧气至腔体气压稳定在30-60Pa，氧气氩气比例为1:2-1:3，以DyBCO为靶材，开始溅射。溅射结束后，降温至400-450℃并充入氧气至气压维持在700-750mbar，进行40-80分钟退火处理。镀膜结束，将温度降至室温，得到具有立方织构氧化物隔离层的金属基带上生长的DyBCO超导层。利用该方法能生产出DyBCO超导层的厚度大于2μm的涂层导体，该涂层导体是现有技术中所没有。

主权项

一种涂层导体DyBCO超导层的生长方法，该方法的步骤如下： 步骤1：对具有立方织构氧化物隔离层的金属基带上进行清洁处理； 步骤2：对磁控溅射腔体抽真空至真空度小于等于5×10‑4Pa，将金属基带加热至600℃‑700℃，20‑30分钟后充入氩气和氧气至腔体气压稳定在30‑60Pa，氧气氩气比例为1:2‑1:3，以DyBCO为靶材，开始溅射5小时以上； 步骤3：溅射结束后，降温至400‑450℃并充入氧气至气压维持在700‑750mbar，进行40‑80分钟退火处理，镀膜结束，将温度降至室温，得到具有立方织构氧化物隔离层的金属基带上生长的DyBCO超导层。