| 发明名称 | 使用预着陆塞制造掩埋栅极的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在衬底的整个表面上方形成塞导电层；蚀刻该塞导电层以形成着陆塞；蚀刻着陆塞之间的衬底以形成沟槽；在沟槽的表面上方形成栅极绝缘层；以及在栅极绝缘层上方形成部分填充沟槽的掩埋栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN101944507B | 申请公布日期 | 2014.03.05 |
| 申请号 | CN201010002012.X | 申请日期 | 2010.01.05 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 辛钟汉;朴点龙 |
| 分类号 | H01L21/8242(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;王春伟 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底的整个表面上方形成塞导电层；蚀刻所述塞导电层以形成着陆塞；蚀刻所述着陆塞之间的所述衬底以形成沟槽；在经蚀刻的所述衬底上方形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上方形成掩埋栅极以填充所述沟槽的下部；以及在所述掩埋栅极上方形成密封层以填充所述沟槽的上部。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||