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发明名称 内嵌式之金属氧氮氧矽记忆体元件及制造方法
摘要
申请公布号 TWI429029 申请公布日期 2014.03.01
申请号 TW099138001 申请日期 2010.11.04
申请人 财团法人国家实验研究院 台北市大安区和平东路2段106号3楼 发明人 陈旻政;陈豪育;林家毅
分类号 H01L21/8247;H01L21/336;H01L27/115;H01L29/792 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人 欧奉璋 台北市信义区松山路439号3楼
主权项
地址 台北市大安区和平东路2段106号3楼
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