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Nicht-flüchtige Floating-Trap-Speichervorrichtung die aufweist: ein Halbleitersubstrat (10); eine Tunnelisolationsschicht (20; 110) auf dem Substrat (10); eine nicht-leitende Ladungsspeicherschicht (22; 112) auf der Tunnelisolationsschicht (20; 110), wobei die Ladungsspeicherschicht (22; 112) Trap-Energieniveaus aufweist; eine Sperrisolationsschicht (44; 54; 64; 114) auf der Ladungsspeicherschicht (22; 112); und eine Gate-Elektrode (27) auf der Sperrisolationsschicht (44; 54; 64; 114), dadurch gekennzeichnet, dass a) die Sperrisolationsschicht (44; 54; 64; 114) eine Siliziumoxidschicht (38) und eine dielektrische Schicht (34) aufweist, wobei die Siliziumoxidschicht (38) zwischen der Ladungsspeicherschicht (22; 112) und der dielektrischen Schicht (34) angeordnet ist, oder die Sperrisolationsschicht (44; 54; 64; 114) eine dielektrische Schicht (34) und eine Siliziumoxidschicht (36) aufweist, wobei die Siliziumoxidschicht (36) zwischen der dielektrischen Schicht (34) und der Gate-Elektrode (27) angeordnet ist, oder die Sperrisolationsschicht (44; 54; 64; 114) eine erste Siliziumoxidschicht (38), eine dielektrische Schicht (34) und eine zweite Siliziumoxidschicht (36) aufweist, wobei die erste Siliziumoxidschicht (38) zwischen der Ladungsspeicherschicht (22; 112) und der dielektrischen Schicht (34) und die zweite Siliziumoxidschicht (36) zwischen der dielektrischen Schicht (34) und der Gate-Elektrode (27) angeordnet ist, b) eine Dielektrizitätskonstante der dielektrischen Schicht (34) größer als die der Tunnelisolationsschicht (22; 110) ist, und c) die dielektrische Schicht (34) eine Metalloxidschicht oder eine dotierte Metalloxidschicht oder eine Metalloxinitridschicht ist. |
