超级结半导体器件结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种超级结半导体器件结构，包括N型衬底，从N型衬底背面引出的漏极，所述N型衬底上方分为元胞区域与终端区域；在元胞区域中的N型衬底上方形成有N-外延层，该N-外延层中形成有多个沟槽，在沟槽中形成有P型外延层；其中，终端区域中N型衬底上具有一绝缘氧化层，该绝缘氧化层上具有第二N型衬底，该第二N型衬底上具有N-外延层。本发明还公开了所述器件结构的制作方法。本发明能够减少超级结半导体器件结构中终端环的数量，缩小超级结半导体器件结构所占用芯片的面积。

主权项

一种超级结半导体器件结构，包括：N型衬底，从该N型衬底背面引出的漏极，所述N型衬底上方分为元胞区域与终端区域；所述元胞区域中，所述N型衬底上端设有N‑外延层，在该N‑外延层中具有多个沟槽，所述沟槽内填充有P型外延层；其特征是：在所述终端区域中，所述N型衬底上端具有一绝缘氧化层，该绝缘氧化层上端具有第二N型衬底，该第二N型衬底上端具有N‑外延层，该N‑外延层中具有多个沟槽，所述终端区域中的多个沟槽部分位于所述第二N型衬底中，并且与绝缘氧化层形成接触。