| 发明名称 | 用于具有槽屏蔽电极的半导体器件的接触结构和方法 | ||
| 摘要 | 在一个实施方式中，用于具有槽屏蔽电极的半导体器件的接触结构包括在槽结构中的栅极电极接触部分和屏蔽电极接触部分。在槽结构内或内部产生与栅极电极和屏蔽电极的接触。厚的无源层围绕接触部分中的屏蔽电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101740612B | 申请公布日期 | 2014.02.26 |
| 申请号 | CN200910221061.X | 申请日期 | 2009.11.09 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | P·A·伯克;G·M·格里瓦纳;P·温卡特拉曼 |
| 分类号 | H01L29/41(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/41(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 金晓 |
| 主权项 | 一种半导体器件结构，其包括：半导体材料区，其具有主表面；第一槽结构，其在所述半导体材料区中形成，其中，所述第一槽结构包括控制电极层和屏蔽电极层；接触结构，其在所述半导体材料区的另一部分中形成，其中，所述第一槽结构在所述接触结构中终止，且其中，所述接触结构中的所述控制电极层和所述屏蔽电极层的上表面在所述第一槽结构内凹进而不叠盖所述接触结构中的半导体材料区的主表面；第一传导层，其在所述第一槽结构内部接触所述控制电极层的上表面；以及第二传导层，其在所述第一槽结构内接触所述屏蔽电极层的上表面。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||