一种石斛育苗技术

摘要

本发明涉及一种石斛育苗技术，取当年生的石斛植株，将其切成长度为1～2cm的茎段，每个茎段上都带有1～2个腋芽，用自来水冲洗干净，放入75%的酒精中浸泡20～40s，再用0.1%的升汞消毒10min，最后用无菌水冲洗，将其茎段培养成新的单苗，待单苗长到2～4cm，具有2～4片真叶时，将其转到生根培养基中进行生根培养，当根系长到3～5cm时，将植株移种到干树枝和石子的混合基质上种植。本发明通过无性繁殖技术，解决了石斛繁育和种植困难的问题，形成了规模化生产，满足了市场需求，产生了巨大的经济效益。

主权项

一种石斛育苗技术，其特征在于：取当年生的石斛植株，将其切成长度为1～2cm的茎段，每个茎段上都带有1～2个腋芽，用自来水冲洗干净，放入75%的酒精中浸泡20～40s，再用0.1%的升汞消毒10min，最后用无菌水冲洗5～8次，在超净工作台上将上述准备好的茎段放入已灭过菌的基本培养基中，进行离体培养，待茎段上长出新芽，将新芽切下，接种在培养基中长成丛生芽，将丛生芽切成单苗继续进行培养，待单苗长到2～4cm，具有2～4片真叶时，将其转到生根培养基中进行生根培养，当根系长到3～5cm时，将植株移种到干树枝和石子的混合基质上种植。