发明名称 无针孔介电薄膜制造
摘要 一种沉积介电薄膜的方法可包括以下步骤:沉积薄介电层;停止沉积介电层,以及改变腔室中的气体(如果需要);在基板附近诱导和维持等离子体,以提供对所沉积的介电层的离子轰击;以及重复所述沉积、停止、以及诱导和维持步骤,直到沉积了所需厚度的电介质为止。这种方法的一种变体可包括以下步骤来代替所述重复步骤:沉积较低品质的厚介电层;沉积高品质的薄介电层;停止沉积介电层,以及改变腔室中的气体(如果需要);以及在基板附近诱导和维持等离子体,以提供对所沉积的介电层的离子轰击。所述厚介电层可以比所述薄介电层更快速地沉积。
申请公布号 CN103608966A 申请公布日期 2014.02.26
申请号 CN201280029540.1 申请日期 2012.06.14
申请人 应用材料公司 发明人 冲·蒋;秉圣·利奥·郭
分类号 H01M14/00(2006.01)I 主分类号 H01M14/00(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 徐金国;赵静
主权项 一种沉积介电膜的方法,包含:在基板上沉积第一介电材料层;在沉积所述第一介电材料层之后,诱导和维持所述基板之上的等离子体,以提供对所述第一介电材料层的离子轰击;以及重复所述沉积、及诱导和维持步骤,直到沉积了预定厚度的介电材料为止。
地址 美国加利福尼亚州