发明名称 | 无针孔介电薄膜制造 | ||
摘要 | 一种沉积介电薄膜的方法可包括以下步骤:沉积薄介电层;停止沉积介电层,以及改变腔室中的气体(如果需要);在基板附近诱导和维持等离子体,以提供对所沉积的介电层的离子轰击;以及重复所述沉积、停止、以及诱导和维持步骤,直到沉积了所需厚度的电介质为止。这种方法的一种变体可包括以下步骤来代替所述重复步骤:沉积较低品质的厚介电层;沉积高品质的薄介电层;停止沉积介电层,以及改变腔室中的气体(如果需要);以及在基板附近诱导和维持等离子体,以提供对所沉积的介电层的离子轰击。所述厚介电层可以比所述薄介电层更快速地沉积。 | ||
申请公布号 | CN103608966A | 申请公布日期 | 2014.02.26 |
申请号 | CN201280029540.1 | 申请日期 | 2012.06.14 |
申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 冲·蒋;秉圣·利奥·郭 |
分类号 | H01M14/00(2006.01)I | 主分类号 | H01M14/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国;赵静 |
主权项 | 一种沉积介电膜的方法,包含:在基板上沉积第一介电材料层;在沉积所述第一介电材料层之后,诱导和维持所述基板之上的等离子体,以提供对所述第一介电材料层的离子轰击;以及重复所述沉积、及诱导和维持步骤,直到沉积了预定厚度的介电材料为止。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |