基片集成波导小型化带通混合环

摘要

本发明涉及基片集成波导小型化带通混合环。包括从上往下依次层叠的第一金属覆铜层、介质层、第二金属覆铜层，所述第一金属覆铜层包括基片集成波导上表区域、位于基片集成波导上表区域两侧并与之连接的四路微带线、位于基片集成波导上表区域内部的微带线两侧的八组耦合槽、位于基片集成波导上表区域内部的S形上槽，位于基片集成波导上表区域上的三排横向、三排纵向的金属化通孔，所述金属化通孔贯穿了基片集成波导上表区域和介质层与第二金属覆铜层连接，形成谐振腔一、谐振腔二、谐振腔三和谐振腔四。本发明的有益效果：避免了现有的混合环内部空间浪费的问题，可大大缩小传统混合环电路面积。

主权项

一种基片集成波导小型化带通混合环，其特征在于，包括从上往下依次层叠的第一金属覆铜层、介质层、第二金属覆铜层，所述第一金属覆铜层包括基片集成波导上表区域、位于基片集成波导上表区域两侧并与之连接的四路微带线、位于微带线两侧并且位于基片集成波导上表区域内部的八组耦合槽、位于基片集成波导上表区域内部的S形上槽，位于基片集成波导上表区域上的三排横向、三排纵向的金属化通孔，所述金属化通孔贯穿了基片集成波导上表区域和介质层，与第二金属覆铜层连接，形成谐振腔一、谐振腔二、谐振腔三和谐振腔四；所述第二金属覆铜层包括位于第二金属覆铜层内部的S形下槽，所述谐振腔一和谐振腔二大小相同，所述谐振腔三和谐振腔四大小相同，所述谐振腔一比谐振腔三大，所述金属化通孔在微带线和耦合槽处中断，形成馈电窗口，所述谐振腔一与谐振腔二、谐振腔二与谐振腔三、谐振腔一与谐振腔四之间的交界区域处的金属化通孔中断，形成连续耦合窗口，所述谐振腔三与谐振腔四之间的交界区域处的金属化通孔中断，形成三组离散耦合窗口，所述S形上槽从第一组离散耦合窗口的中心线开始，以S形穿越中间的第二组离散耦合窗口，止于第三组离散耦合窗口的中心线，所述S形下槽从第一组离散耦合窗口的中心线开始，以S形穿越中间的第二组离散耦合窗口，止于第三组离散耦合窗口的中心线，所述S形下槽的走向与S形上槽的走向关于离散耦合窗口的中心线镜像对称。